精拋光工藝參數(shù)對硅片表面有什么樣的影響規(guī)律。平面拋光機了解到精拋光的主要目的是去除前道工序留下的損壞層，因此拋光去除量的大小直接影響硅片表面的Haze值。同時由于拋光的過程中存在機械去除和化學去除兩種機制，而這兩種機制的匹配程度也對硅片表面的Haze值有著重要影響，當機械去除作用占主導地位時，硅片表面Haze值較小，但是如果機械去除作用占主導地位時，硅片表面Haze值較小，但機械去除作用過大時，會造成硅片表面的局部損壞，如劃傷等，當化學去除作用占主導地位時，硅片表面會發(fā)生過度腐蝕的現(xiàn)象，造成硅片表面Haze值較大。

現(xiàn)在社會發(fā)展電路發(fā)展的越來越快，硅片的Haze值數(shù)對于現(xiàn)代半導體器件工藝的影響也越來越受到各種各樣的人的不斷重視，方達研磨在實驗研究出精拋光工藝參數(shù)對硅片表面的影響。結(jié)果表明，隨著拋光時間的不斷延遲，硅的去除量也會逐漸的增大，硅片表面Haze值逐漸降低，同時拋光過程中機械作用與化學作用的協(xié)同作用對Haze值也有較大影響。隨著拋光液溫度的降低與拋光液體積的不斷減小，化學作用從而減弱，硅片表面的Haze值也隨著不斷減小，拋光壓力的不斷增大，機械作用從而起到主導的作用，硅片表面的Haze值也逐漸的降低。隨著硅去除量的增大 拋光液溫度的下降 拋光液體積流量的降低 拋光壓力的增大 硅片表面Haze值基本是保持不變的。